此前传出三星GALAXY S7已经开始测试的消息，并且有望再次重启双处理器平台策略，至于其他可能装载的新技术则没有更多的消息。而现在，根据网友@i冰宇宙在微博上披露的消息称，UFS2.1将在今年下半年量产，预计三星GALAXY S7将会首先搭载这项新技术，并且明年的三星智能手机将全面引入Type-C以及USB PD标准，这意味着未来的GALAXY S7将拥有更快的充电速度。

支持UFS2.1标准

按照网友@i冰宇宙在微博上的说法，2016年UFS2.0和emmc 5.1将在旗舰机型中得到普及，但三星GALAXY S7在闪存技术方面应该依然会快人一步。由于UFS2.1标准的闪存将在今年下半年量产，因此预计将会首先使用到三星GALAXY S7上。

不过，目前还没有UFS2.1标准闪存技术的更多信息被曝光，但相信应该比现在应用到三星GALAXY S6等机型的UFS2.0标准的闪存技术拥有更快的速度和更低的功耗，而这也意味着未来的GALAXY S7将会带来更出色的性能表现和更快的手机读取速度。

充电速度更快

同时针对当前三星GALAXY 系列旗舰机型尚未引入Type-C的状况，在未来的三星GALAXY S7则会得到改进，并且还将支持全新USB PD标准，这不仅意味着该机的USB连接线将具备正反两面皆可随意插入的特色，而且将带来更快的充电速度，甚至还能够兼容其他数码设备。

除此之外，@i冰宇宙还在微博中提到，年底的时候三星5.2英寸4K显示屏将会量产，因此在索尼已经率先发布4K显示屏智能手机的情况下，三星GALAXY S7很有可能会装载这块5.2英寸4K分辨率Super AMOLED触控屏，这也与此前的传闻比较吻合。

MWC2016发布

而根据此前泄露的信息显示，三星GALAXY S7的内部开发代号为 “Jungfrau”，不仅将会采用Ultra HD 4K显示屏，而且随着三星全新1600万像素CMOS传感器的推出，或许意味着该机还将在摄像头方面得到升级，并借助该传感器非常纤薄的特色，有望改善摄像头凸起的状况。

同时此前微博上曝光的疑似三星内部的Android M 升级计划还显示，三星GALAXY S7正在测试骁龙820处理器，并且韩国媒体也披露称，三星正在GALAXY S7上轮流测试骁龙820处理器和三星自主架构芯片(Exynos M1)两款处理器，以便最终确定到底采用那个方案。因此，结合骁龙820处理器在明年第一季出货的传闻，很大程度上也预示着三星GALAXY S7将会在明年的移动世界大会(MWC)上发布。